创见单面颗粒MTE352T固态硬盘搭载PCIe Gen 3 x2接口，符合最新NVMe 1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3D NAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3D NAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE352T固态硬盘具备3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(Corner Bond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE352T具备类宽温（-20℃~75℃）与宽温(-40°C ~ 85°C)特性，完美满足任务密集型应用的需求。
耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)
30µ"金手指厚镀金工艺
包含类宽温(-20°C ~ 75°C)与宽温(-40°C ~ 85°C)规格，适合极端工控操作环境
搭载PCIe Gen 3 x2 界面
為超薄裝置而生的單面設計
全系列产品采用边角粘合技术，保护关键元件
符合PCI Express 3.1规范
符合NVM Express 1.3规范
支持NVM指令
内建SLC caching技术
内建LDPC ECC自动纠错功能
动态热能管理机制
符合RoHS 2.0规范
支持创见SSD Scope Pro软件
外观 | |
| 尺寸 | 30 mm x 22 mm x 2.38 mm (1.18" x 0.87" x 0.08") |
|---|---|
| 重量 | 4 g (0.14 oz) |
| 外观尺寸 |
|
| M.2规格 |
|
界面 | |
| 总线接口 |
|
存储 | |
| Flash类型 |
|
| 容量 |
|
操作环境 | |
| 工作电压 |
|
| 工作温度 |
|
| 储存温度 | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| 湿度 | 5% ~ 95% |
| 耐冲击 |
|
| 耐振动 (操作中) | 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
电量 | |
| 耗电量 (操作中) | 3.12 瓦 |
| 耗电量 (睡眠) | 0.36 瓦 |
效能 | |
| 连续读写速度(CrystalDiskMark,最大值) | 读取: 高达 1,700 MB/s 写入: 高达 1,000 MB/s |
| 4K随机读写速度(IOmeter,最大值) | 读取: 高达 150,000 IOPS 写入: 高达 230,000 IOPS |
| 平均故障间隔(MTBF) | 3,000,000 小时 |
| 写入兆位元组(TBW,最大值) | 1,080 TBW |
| 每日全盘写入次数(DWPD) | 2.0 (3 年) |
| 备注 |
|
保修 | |
| 安规认证 |
|
| 保修 |
|
| 保修政策 |
|