创见MTE652T固态硬盘搭载PCIe Gen 3 x4接口，符合最新NVMe 1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3D NAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3D NAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE652T固态硬盘内建DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，优异可靠的性能，完美满足任务密集型应用的需求。 创见亦推出具备宽温特性的MTE652T-I固态硬盘，可于-40℃到85℃下稳定运作，以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作，实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。
外观 | |
| 尺寸 | 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14") |
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| 重量 | 9 g (0.32 oz) |
| 外观尺寸 |
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| M.2规格 |
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界面 | |
| 总线接口 |
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存储 | |
| Flash类型 |
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| 容量 |
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操作环境 | |
| 工作电压 |
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| 工作温度 |
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| 储存温度 | -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| 湿度 | 5% ~ 95% |
| 耐冲击 |
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| 耐振动 (操作中) | 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
电量 | |
| 耗电量 (操作中) | 3.3 瓦 |
| 耗电量 (睡眠) | 0.6 瓦 |
效能 | |
| 连续读写速度(CrystalDiskMark,最大值) | 读取: 高达 2,100 MB/s 写入: 高达 1,250 MB/s |
| 4K随机读写速度(IOmeter,最大值) | 读取: 高达 190,000 IOPS 写入: 高达 290,000 IOPS |
| 平均故障间隔(MTBF) | 3,000,000 小时 |
| 写入兆位元组(TBW,最大值) | 1,080 TBW |
| 每日全盘写入次数(DWPD) | 2 (3 年) |
| 备注 |
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保修 | |
| 安规认证 |
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| 保修 |
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| 保修政策 |
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